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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0621541 (2009-11-19) |
등록번호 | US8043935 (2011-10-12) |
우선권정보 | JP-2008-008-302169(2008-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 9 |
An object is to manufacture a semiconductor substrate having a single crystal semiconductor layer with favorable characteristics, without requiring CMP treatment and/or heat treatment at high temperature. In addition, another object is to improve productivity of semiconductor substrates. Vapor-phase
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor substrate, comprising:providing a first single crystal semiconductor layer over a first substrate;removing a native oxide film from a surface of the first single crystal semiconductor layer before providing a second single crystal sem
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