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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0564973 (2009-09-23) |
등록번호 | US8048754 (2011-10-17) |
우선권정보 | JP-2008-008-250114(2008-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
An object is to provide a single crystal semiconductor layer with extremely favorable characteristics without performing CMP treatment or heat treatment at high temperature. Further, an object is to provide a semiconductor substrate (or an SOI substrate) having the above single crystal semiconductor
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate, comprising:forming a first single crystal semiconductor layer by a vapor-phase epitaxial growth method on a surface of a second single crystal semiconductor layer;bonding the first single crystal semiconductor layer and a base subst
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