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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0902515 (2007-09-21) |
등록번호 | US8048777 (2011-10-17) |
우선권정보 | JP-2006-006-266543(2006-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 38 |
An object is to suppress discharge due to static electricity generated by peeling, when an element formation layer including a semiconductor element is peeled from a substrate. Over the substrate, the release layer and the element formation layer are formed. The support base material which can be pe
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:forming a metal film over a substrate;forming a silicon oxide film over the metal film;forming a base insulating layer over the silicon oxide film;forming a circuit including a thin film transistor over the base ins
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