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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0977143 (2010-12-23) |
등록번호 | US8049219 (2011-10-17) |
우선권정보 | JP-2003-003-065314(2003-03-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 33 |
An integrated circuit mounting a DRAM which can realize high integration without complicated manufacturing steps. The integrated circuit according to the invention comprises a DRAM in which a plurality of memory cells each having a thin film transistor are disposed. The thin film transistor comprise
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising:a DRAM over a substrate, the DRAM including:a transistor comprising:a first gate electrode over the substrate;a semiconductor film over the first gate electrode wherein the first gate electrode and the semiconductor film overlap each other wit
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