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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0449902 (2006-06-09) |
등록번호 | US8049308 (2011-10-17) |
우선권정보 | CN-2005-005 1 0111133(2005-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A semiconductor device having an improved contact structure. The device has a semiconductor substrate and a plurality of gate structures formed on the substrate. The device has a first interlayer dielectric overlying the gate structures. The device has a first copper interconnect layer overlying the
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising:a semiconductor substrate;a plurality of gate structures formed on a portion of the semiconductor substrate;an interlayer dielectric overlying the gate structures, the interlayer dielectric layer having a substantially flat surface region;a fi
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