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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0643501 (2009-12-21) |
등록번호 | US8053331 (2011-10-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 8 |
Processes for transferring a semiconductor material to a polymer substrate to provide flexible semiconductor material include implanting ions to a predetermined depth in a semiconductor substrate, heat-treating the ion-implanted semiconductor substrate for a period of time and at a temperature effec
The invention claimed is: 1. A process for transferring a semiconductor film to a polymer substrate to make a flexible semiconductor material comprising the steps of:implanting ions to a predetermined depth in at least one semiconductor substrate to create a separation zone within the at least one s
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