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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0511251 (2009-07-29) |
등록번호 | US8053730 (2011-10-25) |
우선권정보 | KR-2008-0-2008-0131658(2008-12-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
An infrared sensor and a method of fabricating the same are provided. The sensor includes a substrate including a reflection layer and a plurality of pad electrodes, an interdigitated sensing electrode connected to the pad electrode and formed to be spaced apart from the reflection layer by a predet
What is claimed is: 1. A method of fabricating an infrared sensor, comprising:forming a substrate including a read-out integrated circuit (ROIC);forming first and second pad electrodes over the substrate so as to be coupled to the ROIC;forming a reflection layer over the substrate between the first
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