최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0978612 (2007-10-30) |
등록번호 | US8053837 (2011-10-25) |
우선권정보 | JP-1998-0-174482(1998-06-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 182 |
There is provided a method of removing trap levels and defects, which are caused by stress, from a single crystal silicon thin film formed by an SOI technique. First, a single crystal silicon film is formed by using a typical bonding SOI technique such as Smart-Cut or ELTRAN. Next, the single crysta
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising:a transistor including:an island-like single crystalline semiconductor layer comprising silicon formed over a silicon substrate with a first silicon oxide film and a second silicon oxide film interposed therebetween, the island-like single cry
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.