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Method for using an RC circuit to model trapped charge in an electrostatic chuck 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G06G-007/48
출원번호 US-0333935 (2008-12-12)
등록번호 US8055489 (2011-10-25)
발명자 / 주소
  • Makhratchev, Konstantin
  • McMillin, Brian
출원인 / 주소
  • Lam Research Corporation
대리인 / 주소
    Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 3

초록

A method for simulating the effect of trapped charge in an electrostatic chuck on the chuck performance comprises creating a trapped-charge electrical model having a trapped-charge capacitor and a gap-trapped resistor, and coupling the model to a plurality of voltage sources. The trapped-charge capa

대표청구항

What is claimed is: 1. A method of using a circuit simulator to simulate an effect of trapped charge in an electrostatic chuck on the electrostatic chuck performance, the method comprising:creating a trapped-charge electrical model by coupling a trapped charge capacitor to a gap-trapped resistor and

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Hoi Cheong Sun ; Dominic Stephen Rosati ; Eugene Samuel Puliniak ; Bawa Singh ; Nitin Vithalbhai Desai, AC waveforms biasing for bead manipulating chucks.
  2. Tsuji, Hiroshi; Shimizu, Yoshiteru, Simulation apparatus and simulation method used to design characteristics and circuits of semiconductor device, and semiconductor device fabrication method.
  3. Fang Hao (Cupertino CA) Fang Peng (Milpitas CA) Yue John T. (Los Altos CA), Test method for predicting hot-carrier induced leakage over time in short-channel IGFETs and products designed in accord.
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