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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0470344 (2009-05-21) |
등록번호 | US8058142 (2011-11-01) |
우선권정보 | KR-2003-0-2003-0040920(2003-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 100 |
A bonded semiconductor structure static random access memory circuit includes a support substrate which carries a first horizontally oriented transistor, and an interconnect region which includes a conductive line. The memory circuit includes a donor substrate which includes a semiconductor layer st
The invention claimed is: 1. A bonded semiconductor structure static random access memory circuit, comprising:a support substrate which carries a first horizontally oriented transistor, and an interconnect region which includes a conductive line; anda donor substrate which includes a semiconductor l
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