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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0574120 (2004-09-23) |
등록번호 | US8062564 (2011-11-07) |
우선권정보 | FR-2003-3 11450(2003-09-30) |
국제출원번호 | PCT/FR2004/002398 (2004-09-23) |
§371/§102 date | 20070531 (20070531) |
국제공개번호 | WO05/034218 (2005-04-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 15 |
Method for fabricating a structure in the form of a plate, and structure in the form of a plate, in particular formed from silicon, including at least one substrate, a superstrate and at least one intermediate layer interposed between the substrate and the superstrate, in which the intermediate laye
What is claimed is: 1. A method for fabricating a silicon wafer, which method comprises:depositing at least one intermediate layer on either of a substrate and/or a superstrate by chemical vapor deposition, wherein the intermediate layer is deposited as a glass comprising at least one base material
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