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Kafe 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0772473 (2010-05-03) |
등록번호 | US8067794 (2011-11-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 607 |
Electronic apparatus and methods of forming the electronic apparatus include a HfSiON film on a substrate for use in a variety of electronic systems. The HfSiON film may be structured as one or more monolayers. Electrodes to a dielectric containing a HfSiON may be structured as one or more monolayer
Electronic apparatus and methods of forming the electronic apparatus include a HfSiON film on a substrate for use in a variety of electronic systems. The HfSiON film may be structured as one or more monolayers. Electrodes to a dielectric containing a HfSiON may be structured as one or more monolayers of titanium nitride, tantalum, or combinations of titanium nitride and tantalum.
What is claimed is: 1. An electronic device comprising:a dielectric layer in an integrated circuit on a substrate, the dielectric layer including a hafnium silicon oxynitride film, the hafnium silicon oxynitride film doped with elements or compounds other than hafnium or silicon; andan electrode cou
What is claimed is: 1. An electronic device comprising:a dielectric layer in an integrated circuit on a substrate, the dielectric layer including a hafnium silicon oxynitride film, the hafnium silicon oxynitride film doped with elements or compounds other than hafnium or silicon; andan electrode coupled to the hafnium silicon oxynitride film, the electrode having a layer of titanium nitride or a layer of tantalum, the layer of titanium nitride or the layer of tantalum coupling the electrode to the hafnium silicon oxynitride film.
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