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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0073245 (2011-03-28) |
등록번호 | US8076174 (2011-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 52 |
A sputtering target, including a sputtering layer and a support structure. The sputtering layer includes an alkali-containing transition metal. The support structure includes a second material that does not negatively impact the performance of a copper indium selenide (CIS) based semiconductor absor
What is claimed is: 1. A method of forming a sputtering target, comprising:forming a sputtering layer comprising a first material which comprises an alkali-containing transition metal directly on a second material of a support structure,wherein the second material does not negatively impact a perfor
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