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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0529286 (2008-04-03) |
등록번호 | US-8089065 (2012-01-03) |
우선권정보 | GB-0706653.3 (2007-04-04) |
국제출원번호 | PCT/GB2008/001183 (2008-04-03) |
§371/§102 date | 20091026 (20091026) |
국제공개번호 | WO2008/122774 (2008-10-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A method of forming an organic thin film transistor comprising: providing a structure comprising source and drain electrodes with a channel region therebetween, a gate electrode, and a dielectric layer disposed between the source and drain electrodes and the gate electrode; and patterning the dielec
1. A method of forming an organic thin film transistor of the top-gate type comprising: providing a structure comprising source and drain electrodes with a channel region therebetween, a gate electrode, and a dielectric layer disposed between the source and drain electrodes and the gate electrode, t
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