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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0334086 (2008-12-12) |
등록번호 | US-8101503 (2012-01-24) |
우선권정보 | FR-96 06086 (1996-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 106 |
A semiconductor structure includes a thin semiconductor layer fixed on an applicator or flexible support, the thin layer having an exposed surface characterized by fractured solid bridges spaced apart by cavities. A method of producing the thin layer of semiconductor material includes implanting ion
1. A method of forming a thin layer comprising: implanting hydrogen ions into a wafer to define a reference plane,wherein the hydrogen ions are implanted at an implant dose below a critical dose of hydrogen of about 4×1016/cm2 and above a minimum dose of hydrogen of about 1 ×1016/cm2;applying a ther
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