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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0211936 (2008-09-17) |
등록번호 | US-8110479 (2012-02-07) |
우선권정보 | JP-2007-245822 (2007-09-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 15 |
To provide a method for manufacturing a large-area semiconductor device, to provide a method for manufacturing a semiconductor device with high efficiency, and to provide a highly-reliable semiconductor device in the case of using a large-area substrate including an impurity element. A plurality of
1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: arranging a plurality of single crystal semiconductor substrates in a tray;forming a first barrier layer over the plurality of single crystal semiconductor substrates;forming a damaged region in each of the plurality of si
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