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Free-standing silicon carbide articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B32B-007/02
출원번호 US-0782727 (2010-05-19)
등록번호 US-8114505 (2012-02-14)
발명자 / 주소
  • Forrest, David Thomas
  • Schauer, Mark Wallace
출원인 / 주소
  • Morgan Advanced Ceramics, Inc.
대리인 / 주소
    Russell, Dean W.
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 19

초록

Improved methods for manufacturing silicon carbide rings using chemical vapor deposition. Cylindrical tubes are used as deposition substrates and the resulting material deposited on the inside surface of cylindrical tubes or on the outside surface of cylindrical mandrels, or both, is sliced or cut i

대표청구항

1. A structure formed by chemical vapor deposition having a planar direction and a normal direction, wherein the structure has a dimension in the planar direction that is larger than the dimension in the normal dimension, the chemical vapor deposition structure being a material having grains, wherei

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Takeda, Shuichi; Sato, Hiroaki, CVD-SiC self-supporting membrane structure and method for manufacturing the same.
  2. Teverovsky Alexander ; MacDonald James C. ; Burns Lee Erich, Chemical vapor deposition of near net shape monolithic ceramic parts.
  3. Taylor Raymond L. (Saugus MA) Pickering Michael A. (Dracut MA) Keeley Joseph T. (Woburn MA), Chemical vapor deposition process to replicate the finish and figure of preshaped structures.
  4. Goela Jitendra S. (Andover MA) Burns Lee E. (Woburn MA) Taylor Raymond L. (Saugus MA), Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties.
  5. Goela Jitendra S. (Andover MA) Burns Lee E. (Woburn MA) Taylor Raymond L. (Saugus MA), Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties.
  6. Goela Jitendra S. (Andover MA) Taylor Raymond L. (Saugus MA), Fabrication of lightweight ceramic mirrors by means of a chemical vapor deposition process.
  7. Fei Renyan W. ; Lloyd Jerry D., Line-start reluctance motor with grain-oriented rotor laminations.
  8. Fei Renyan W. ; Lloyd Jerry D., Line-start reluctance motor with grain-oriented rotor laminations.
  9. Goela, Jitendra S.; Pickering, Michael A., Low resistivity silicon carbide.
  10. Ioku Toshinori (Nara JPX) Sakurai Takeshi (Nara JPX), Method for making a silicon carbide substrate.
  11. Goela Jitendra Singh ; Pickering Michael A., Method for producing free-standing silicon carbide articles.
  12. Odaka, Fumio; Ushita, Kazuhiro; Takahashi, Yoshitomo, Method for producing high purity silicon carbide sintered body.
  13. Jitendra Singh Goela ; Zlatko Salihbegovic ; Michael A. Pickering ; Mitch Boudreaux, Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition.
  14. Pyzik Aleksander J. (Midland MI) Allen Timothy L. (Midland MI), Method of preparing near-net shape silicon nitride articles and the articles so prepared.
  15. Goela, Jitendra Singh; Salihbegovic, Zlatko; Pickering, Michael A.; Boudreaux, Mitch, Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition.
  16. Pickering, Michael A.; Goela, Jitendra S., Opaque low resistivity silicon carbide.
  17. Goela Jitendra Singh, Precision replication by chemical vapor deposition.
  18. Kuriyama Chojiro,JPX, Solid electrolytic capacitor.
  19. Jennings Dean C., Substrate support for a thermal processing chamber.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Ryu, Seung-Min; Lee, Sang Min; Jeong, Hee Jong; Kim, Chaeho; Son, Ji Su; Lee, Jaebong; Lim, Juwan; Choi, Jungwoo, Apparatus for depositing a thin film.
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