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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0984182 (2007-11-14) |
등록번호 | US-8119903 (2012-02-21) |
우선권정보 | JP-2006-317563 (2006-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
There is disclosed a single crystal silicon solar cell includes the steps of: implanting hydrogen ions or rare gas ions to a single crystal silicon substrate; performing surface activation on at least one of an ion-implanted surface of the single crystal silicon substrate and a surface of a transpar
1. A method for manufacturing a single crystal silicon solar cell including at least a light reflection film, a single crystal silicon layer as a light conversion layer, and a transparent insulator substrate, which are laminated on one another with a surface on the transparent insulator substrate si
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