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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0606845 (2009-10-27) |
등록번호 | US-8120062 (2012-02-21) |
우선권정보 | KR-2005-0085676 (2005-09-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 12 |
A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method for fabricating the same are provided. The CMOS image sensor includes: a first conductive type substrate including a trench; a channel stop layer formed by using a first conductive type epitaxial layer over an inner surface of the
1. An image sensor, comprising: a substrate including a trench that extends down from a surface of the substrate to a first depth;an epitaxial channel stop layer formed over an inner surface of the trench;a transfer gate structure on the substrate; anda photodiode positioned between the trench and t
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