[특허]Fabrication of SOI with gettering layer

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-021/02
출원번호	US-0867235 (2007-10-04)
등록번호	US-8128749 (2012-03-06)
발명자 / 주소	Lee, Junedong Sadana, Devendra K. Schepis, Dominic J.
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	Cai, Yuanmin
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 21

초록 ▼

An SOI substrate has a gettering layer of silicon-germanium (SiGe) with 5-10% Ge, and a thickness of approximately 50-1000 nm. Carbon (C) may be added to SiGe to stabilize the dislocation network. The SOI substrate may be a SIMOX SOI substrate, or a bonded SOI substrate, or a seeded SOI substrate. The gettering layer may disposed under a buried oxide (BOX) layer. The gettering layer may be disposed on a backside of the substrate.

대표청구항 ▼

1. A method of making an SOI substrate comprising: providing a substrate;epitaxially growing a thin film gettering layer on the substrate, the gettering layer comprising a dislocation network, the gettering layer comprising silicon-germanium (SiGe) having 5-10% Ge and a having thickness of approximately 50˜1000 nm; andstabilizing the dislocation network by adding carbon atoms to the SiGe. 2. The method of claim 1 further comprising: depositing a silicon epi layer over the gettering layer;implanting an oxygen-rich region within the epi layer; andperforming annealing. 3. The method of claim 1 further comprising: inverting the substrate;implanting oxygen in the substrate; andperforming annealing. 4. The method of claim 1, wherein the substrate is a first substrate, further comprising: in a second substrate, oxidizing a top layer of the substrate, and forming a hydrogen-rich separation layer which is below a substrate layer which is below the oxidized top layer; andinverting the second substrate and bonding it face-to-face with the first substrate, splitting the second substrate from the first substrate at the separation layer. 5. The method of claim 1, wherein the substrate is a first substrate, further comprising: in a second substrate, oxidizing a top layer of the second substrate, and forming a hydrogen-rich separation layer which is below a substrate layer which is below the oxidized top layer;inverting the first substrate; andinverting the second substrate and bonding it face-to-face with the first substrate, splitting the second substrate from the first substrate at the separation layer. 6. The method of claim 1 further comprising: depositing a silicon epi layer over the gettering layer;forming a dielectric layer over the epi layer;performing seeding, epitaxially growing a layer of silicon over the dielectric layer; andsubjecting the substrate to high temperature anneal. 7. The method of claim 1 further comprising: inverting the substrate;implanting oxygen in the substrate; andperforming annealing. 8. The method of claim 5, wherein oxidizing a top layer of the second substrate is performed via a thermal oxidation process. 9. The method of claim 5, wherein forming a hydrogen-rich separation layer is performed with a plasma immersion ion implantation process.

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