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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0648566 (2009-12-29) |
등록번호 | US-8129209 (2012-03-06) |
우선권정보 | DE-100 51 465 (2000-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 87 |
A semiconductor component has a plurality of GaN-based layers, which are preferably used to generate radiation, produced in a fabrication process. In the process, the plurality of GaN-based layers are applied to a composite substrate that includes a substrate body and an interlayer. A coefficient of
1. A method for an epitaxial fabrication of a thin-film light emitting-diode, the method comprising the steps of: forming GaN-based layers on a substrate which comprises sapphire, the GaN-based layers comprising an active layer sequence for emitting radiation;patterning the GaN-based layers into ind
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