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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0189157 (2008-08-10) |
등록번호 | US-8129613 (2012-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 46 |
Fabrication of a photovoltaic cell comprising a thin semiconductor lamina may require additional processing after the semiconductor lamina is bonded to a receiver. To minimize high-temperature steps after bonding, the p-n junction is formed at the back of the cell, at the bonded surface. In some emb
1. A method for forming a photovoltaic cell, the method comprising: implanting hydrogen and/or helium ions through a first surface of a monocrystalline semiconductor donor wafer to define a cleave plane, the donor wafer having a resistivity that is less than about 0.5 ohm-cm;cleaving a semiconductor
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