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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0251343 (2008-10-14) |
등록번호 | US-8133555 (2012-03-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 144 |
A method of forming a single-metal film on a substrate by plasma ALD includes: contacting a surface of a substrate with a β-diketone metal complex in a gas phase; exposing molecule-attached surface to a nitrogen-hydrogen mixed plasma; and repeating the above steps, thereby accumulating atomic layers
1. A method of forming a single-metal film on a substrate by plasma atomic layer deposition (ALD), comprising: (i) contacting a surface of a substrate with a β-diketone metal complex in a gas phase whereby molecules of the β-diketone metal complex are attached to the surface of the substrate;(ii) ex
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