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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0246516 (2008-10-07) |
등록번호 | US-8148191 (2012-04-03) |
우선권정보 | DE-101 50 040 (2001-10-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
The present invention relates firstly to HF/fluoride-free etching and doping media which are suitable both for the etching of inorganic layers and also for the doping of underlying layers. The present invention secondly also relates to a process in which these media are employed.
1. A process for the etching of passivation and antireflection layers of silicon nitride on solar cells, comprising (a) applying a printable paste-form etching medium comprising phosphoric acid or a salt thereof in a single process step, over the entire surface of said solar cell or selectively to t
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