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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0565294 (2009-09-23) |
등록번호 | US-8159014 (2012-04-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 30 |
A silicon-on-insulator device has a localized biasing structure formed in the insulator layer of the SOI. The localized biasing structure includes a patterned conductor that provides a biasing signal to distinct regions of the silicon layer of the SOI. The conductor is recessed into the insulator la
1. A silicon-on-insulator semiconductor device, comprising: a substrate coupled to a substrate potential;an insulator on the substrate;a patterned conductor layer disposed on the insulator and isolated from the substrate that is configured to be electrically biased; anda silicon layer disposed on th
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