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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0757022 (2007-06-01) |
등록번호 | US-8173538 (2012-05-08) |
우선권정보 | DE-10 2006 056 626 (2006-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 24 |
By providing a surface modification process prior to or during a self-limiting deposition process, the per se highly conformal deposition behavior may be selectively changed so as to obtain reliable coverage at specific surface areas, while significantly reducing or suppressing a deposition above un
1. A method, comprising: forming an opening in a metallization structure of a semiconductor device, said opening comprising a substantially horizontal surface and a substantially vertical surface;forming an inhibitor material above said substantially horizontal surface of said opening, wherein formi
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