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Optimization of polishing stop design

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/00
  • H01L-021/46
  • H01L-021/30
출원번호 US-0912727 (2010-10-26)
등록번호 US-8187900 (2012-05-29)
발명자 / 주소
  • Lin, Li Min
  • Chan, Ka Wah
  • Zheng, Sheng Mei
  • Cai, Yong
출원인 / 주소
  • Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited
대리인 / 주소
    Ella Cheong Hong Kong
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 12

초록

The present invention provides a method of fabricating vertical LED structures in which the substrate used for epitaxial layer growth is removed through polishing. The polishing technique used in an exemplary embodiment is chemical mechanical polishing using polish stops to provide a sufficiently le

대표청구항

1. A method of fabricating a GaN vertical light emitting diode comprising: providing a first substrate capable of supporting GaN epitaxial growth thereon;forming a layer of undoped GaN on the first substrate;forming a layer of n-doped GaN over the first layer of undoped GaN;forming a multiple quantu

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Sune Ching-Tzong (Hsinchu TWX) Lu Chih-Yuan (Hsinchu TWX), Chemical/mechanical polishing for ULSI planarization.
  2. Hon,Schang Jing; Lai,Mu Jen, Gallium nitride vertical light emitting diode structure and method of separating a substrate and a thin film in the structure.
  3. Ming-Jiunn Jou,TWX ; Biing-Jye Lee,TWX ; Tarn Jacob C.,TWX ; Chuan-Ming Chang,TWX ; Chia-Cheng Liu,TWX, Indium gallium nitride light emitting diode.
  4. Wong,William S.; Kneissl,Michael A.; Teepe,Mark, Method for controlling the structure and surface qualities of a thin film and product produced thereby.
  5. Chai,Bruce H. T.; Gallagher,John Joseph; Hill,David Wayne, Method for making Group III nitride devices and devices produced thereby.
  6. Christopher L. Chua ; Michael A. Kneissl ; David P. Bour, Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff.
  7. Urbanek,Wolfram, Methods of processing of gallium nitride.
  8. Yen,Yu Lin; Chang,Ching Yu, Rework process of patterned photo-resist layer.
  9. Ishikawa Masayuki,JPX ; Nitta Koichi,JPX, Semiconductor light emitting diode having a capacitor.
  10. Baik, Doo Go; Oh, Bang Won; Choi, Seok Beom; Lee, Su Yeol, Vertical gallium-nitride based light emitting diode.
  11. Yoo, Myung Cheol, Vertical topology light emitting device using a conductive support structure.
  12. Kub, Francis J.; Hobart, Karl D., Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates.
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