최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0392742 (2009-02-25) |
등록번호 | US-8198172 (2012-06-12) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 24 |
Methods for fabricating integrated circuit devices on an acceptor substrate devoid of circuitry are disclosed. Integrated circuit devices are formed by sequentially disposing one or more levels of semiconductor material on an acceptor substrate, and fabricating circuitry on each level of semiconduct
1. An integrated circuit fabrication method, comprising: forming a sacrificial material over a surface of an acceptor substrate;bonding a donor substrate comprising semiconductor material to the acceptor substrate over the sacrificial material;severing a foundation material bonded to the acceptor su
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.