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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0281744 (2005-11-17) |
등록번호 | US-8212725 (2012-07-03) |
우선권정보 | FR-04 52663 (2004-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 16 |
The method is to fabricate a microelectronic device with an integrated antenna. This method may include forming at least a first semiconducting layer on a substrate, forming in at least one zone of the first semiconducting layer of a structure to limit the circulation of current in the zone of the f
1. A method for fabricating a microelectronic device including at least one integrated antenna, the method comprising: forming a structure for limiting circulation of current in a zone of a semiconducting layer, the structure for limiting circulation of current comprising at least one reverse biased
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