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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0076794 (2008-03-24) |
등록번호 | US-8222117 (2012-07-17) |
우선권정보 | JP-2007-079762 (2007-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 52 |
An SOI substrate and a manufacturing method of the SOI substrate, by which enlargement of the substrate is possible and its productivity can be increased, are provided. A step (A) of cutting a single crystal silicon substrate to form a single crystal silicon substrate which is n (n is an optional po
1. A manufacturing method of an SOI substrate, comprising the steps of: (A) cutting a first single crystal silicon substrate from a first surface to a second surface thereby forming a second single crystal silicon substrate, wherein the first surface faces the second surface, which is n (n is a posi
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