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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0427140 (2009-04-21) |
등록번호 | US-8222696 (2012-07-17) |
우선권정보 | JP-9-333453 (1997-11-18); JP-9-337710 (1997-11-21); JP-9-340754 (1997-11-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 240 |
An active region, a source region, and a drain region are formed on a single crystal semiconductor substrate or a single crystal semiconductor thin film. Impurity regions called pinning regions are formed in striped form in the active region so as to reach both of the source region and the drain reg
1. A semiconductor device comprising: a single crystal silicon substrate;a buried oxide film on the single crystal silicon substrate;a single crystal silicon layer on the buried oxide film, the single crystal silicon layer including a source region, a drain region and a channel forming region;an oxi
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