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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0991714 (2009-05-08) |
등록번호 | US-8236104 (2012-08-07) |
우선권정보 | JP-2008-172756 (2008-07-01) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/002018 (2009-05-08) |
§371/§102 date | 20101109 (20101109) |
국제공개번호 | WO2010/001519 (2010-01-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
A single-crystal manufacturing apparatus comprising at least: a main chamber configured to accommodate a crucible; a pulling chamber continuously provided above the main chamber, the pulling chamber into which a grown single crystal is pulled and accommodated; a gas inlet provided in the pulling cha
1. A single-crystal manufacturing apparatus based on the Czochralski method comprising at least: a main chamber configured to accommodate a crucible for containing a raw material melt and a heater for heating the raw material melt; a pulling chamber continuously provided above the main chamber, wher
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