최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0565863 (2009-09-24) |
등록번호 | US-8253211 (2012-08-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 256 |
Non-silicon based semiconductor devices are integrated into silicon fabrication processes by using aspect-ratio-trapping materials. Non-silicon light-sensing devices in a least a portion of a crystalline material can output electrons generated by light absorption therein. Exemplary light-sensing dev
1. A sensor, comprising: a substrate configured with at least one depression in the substrate;an insulator in the at least one depression in the substrate and configured to form at least two openings to the substrate, the insulator overlying sides of the at least one depression to form the at least
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.