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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0495161 (2009-06-30) |
등록번호 | US-8274097 (2012-09-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 256 |
A device includes a crystalline material within an area confined by an insulator. In one embodiment, the area confined by the insulator is an opening in the insulator having an aspect ratio sufficient to trap defects using an ART technique. Method and apparatus embodiments of the invention can reduc
1. A semiconductor structure comprising: a crystalline substrate;an insulator material defining a plurality of openings to the substrate;a plurality of first regions of first crystalline semiconductor material each within a respective one of openings in the insulator, the first crystalline semicondu
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