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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0536463 (2006-09-28) |
등록번호 | US-8278176 (2012-10-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 94 인용 특허 : 211 |
Epitaxial layers are selectively formed in semiconductor windows by a cyclical process of repeated blanket deposition and selective etching. The blanket deposition phases leave non-epitaxial material over insulating regions, such as field oxide, and the selective etch phases preferentially remove no
1. A method of selectively forming semiconductor material in semiconductor windows, comprising: providing a substrate within a chemical vapor deposition chamber, the substrate comprising insulating surfaces and single-crystal semiconductor surfaces;blanket depositing semiconductor material over the
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