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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0702187 (2010-02-08) |
등록번호 | US-8278192 (2012-10-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 66 |
A method is provided for fabricating a thin-film semiconductor substrate by forming a porous semiconductor layer conformally on a reusable semiconductor template and then forming a thin-film semiconductor substrate conformally on the porous semiconductor layer. An inner trench having a depth less th
1. A method for fabrication of a thin-film semiconductor substrate, the method comprising: forming a porous semiconductor layer on a reusable semiconductor template, said porous semiconductor layer conformal to said reusable semiconductor template;forming a thin-film semiconductor substrate on said
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