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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0139992 (2008-06-16) |
등록번호 | US-8283751 (2012-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 190 |
Generally, the present invention provides a variable thickness gate oxide anti-fuse transistor device that can be employed in a non-volatile, one-time-programmable (OTP) memory array application. The anti-fuse transistor can be fabricated with standard CMOS technology, and is configured as a standar
1. An anti-fuse transistor formed on a semiconductor material-comprising: a diffusion region coupled to a first conductor;a first gate dielectric proximate to the diffusion region and over a first portion of a channel region surface;a second gate dielectric over the first gate dielectric and a secon
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