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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0978610 (2007-10-30) |
등록번호 | US-8288248 (2012-10-16) |
우선권정보 | JP-10-174482 (1998-06-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 186 |
There is provided a method of removing trap levels and defects, which are caused by stress, from a single crystal silicon thin film formed by an SOI technique. First, a single crystal silicon film is formed by using a typical bonding SOI technique such as Smart-Cut or ELTRAN. Next, the single crysta
1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising: forming a first oxide layer on a single crystal semiconductor substrate;forming a second oxide layer over a glass substrate;adding hydrogen ions into the single crystal semiconductor substrate through the first oxide layer to form a hyd
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