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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0011136 (2011-01-21) |
등록번호 | US-8288249 (2012-10-16) |
우선권정보 | JP-2010-014862 (2010-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
Manufacturing cost of an SOI substrate is reduced. Yield of an SOI substrate is improved. A method for manufacturing an SOI substrate includes the steps of irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate, bondi
1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of: irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate;bonding the single crystal semiconductor substrate to a base substrate with an insulating
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