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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0494901 (2009-06-30) |
등록번호 | US-8291857 (2012-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 61 |
Embodiments of the invention provide apparatuses and methods for atomic layer deposition (ALD), such as plasma-enhanced ALD (PE-ALD). In some embodiments, a PE-ALD chamber is provided which includes a chamber lid assembly coupled with a chamber body having a substrate support therein. In one embodim
1. A chamber for plasma-enhanced atomic layer deposition processes, comprising: a substrate support containing a substrate receiving surface and disposed within a chamber body; a chamber lid assembly coupled with the chamber body and comprising:an inlet manifold assembly comprising an annular channe
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