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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0719766 (2010-03-08) |
등록번호 | US-8293558 (2012-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 69 |
The present disclosure relates to methods for selectively etching a porous semiconductor layer to separate a thin-film semiconductor substrate (TFSS) having planar or three-dimensional features from a corresponding semiconductor template. The method involves forming a conformal sacrificial porous se
1. A method for fabrication of a thin-film crystalline semiconductor substrate by releasing it from a semiconductor template through the use of a sacrificial porous semiconductor seed and release layer, the method comprising: forming a porous semiconductor layer on a semiconductor template measuring
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