최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0239571 (2011-09-22) |
등록번호 | US-8293648 (2012-10-23) |
우선권정보 | JP-11-245143 (1999-08-31); JP-11-360349 (1999-12-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 27 |
In order to prevent the contamination of wafers made of a transition metal in a semiconductor mass production process, the mass production method of a semiconductor integrated circuit device of the invention comprises the steps of depositing an Ru film on individual wafers passing through a wafer pr
1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising: (a) preparing a semiconductor wafer;(b) forming a film containing a transition metal over the semiconductor wafer;(c) removing the film which is formed on a back surface or an edge region of a device surface of the semiconductor wafer;
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.