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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0073268 (2011-03-28) |
등록번호 | US-8294159 (2012-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 288 |
A method for fabrication of 3D semiconductor devices utilizing a layer transfer and steps for forming transistors on top of a pre-fabricated semiconductor device comprising transistors formed on crystallized semiconductor base layer and metal layer for the transistors interconnections and insulation
1. A semiconductor device comprising: a first single crystal silicon layer comprising a plurality of first transistors and a plurality of first alignment marks;at least two metal layers overlying said first single crystal silicon layer, wherein said metal layers comprise copper or aluminum more than
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