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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0259709 (2008-10-28) |
등록번호 | US-8298338 (2012-10-30) |
우선권정보 | KR-10-2007-0137715 (2007-12-26); KR-10-2008-0096306 (2008-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 49 |
Provided is a chemical vapor deposition apparatus. The apparatus includes a reaction chamber, a gas introduction unit, and a gas exhaust unit. The reaction chamber includes a susceptor on which a wafer is loaded and a reaction furnace in which the wafer is processed by chemical vapor deposition. The
1. A chemical vapor deposition apparatus comprising: a reaction chamber comprising a susceptor on which a wafer is loaded and a reaction furnace in which the wafer is processed by chemical vapor deposition; a gas introduction unit disposed at an outer wall of the reaction chamber to supply a reactio
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