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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0702463 (2010-02-09) |
등록번호 | US-8304863 (2012-11-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 67 |
A through-substrate via (TSV) structure includes at least two electrically conductive via segments embedded in a substrate and separated from each other by an electrically conductive barrier layer therebetween. The length of each individual conductive via segment is typically equal to, or less than,
1. A semiconductor structure comprising: a first substrate, said first substrate including at least one through-substrate via (TSV) structure extending from a first surface located on one side of said first substrate to a second surface located on an opposite side of said first substrate, each of sa
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