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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0522081 (2006-09-14) |
등록번호 | US-8308915 (2012-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 144 |
Systems and methods are disclosed for face target sputtering to fabricate semiconductors by providing one or more materials with differential coefficients of expansion in the FTS chamber; and generating a controlled pressure and size with the one or more materials during sintering.
1. A method for forming a non-planar complex metal oxide (CMO) target in a face target sputtering (FTS) chamber, comprising: providing one or more materials with differential coefficients of expansion in the FTS chamber, the materials forming two precision cylinders that are concentric to each other
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