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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0219215 (2011-08-26) |
등록번호 | US-8313987 (2012-11-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 191 |
An anti-fuse memory cell having a variable thickness gate dielectric. The variable thickness dielectric has a thick portion and a thin portion, where the thin portion has at least one dimension less than a minimum feature size of a process technology. The thin portion can be rectangular in shape or
1. A method of forming an anti-fuse transistor having a thick dielectric area and a thin dielectric area underneath a gate, comprising: a) forming a first dielectric layer in an active area of the anti-fuse transistor;b) selectively removing the first dielectric layer from an area of the active area
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