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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0882301 (2010-09-15) |
등록번호 | US-8314012 (2012-11-20) |
우선권정보 | JP-2007-264900 (2007-10-10); JP-2007-267273 (2007-10-12); JP-2007-275831 (2007-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 17 |
An SOI substrate having a single crystal semiconductor layer with high surface planarity is manufactured. A semiconductor substrate is doped with hydrogen, whereby a damaged region which contains large quantity of hydrogen is formed. After a single crystal semiconductor substrate and a supporting su
1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: adding an accelerated ion to a single crystal semiconductor substrate by an ion doping method to form a damaged region added with the ion and located in a portion of the single crystal semiconductor substrate deeper than a surface of
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