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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0989039 (2009-04-17) |
등록번호 | US-8357597 (2013-01-22) |
우선권정보 | JP-2008-114467 (2008-04-24); JP-2009-056915 (2009-03-10) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/057723 (2009-04-17) |
§371/§102 date | 20101021 (20101021) |
국제공개번호 | WO2009/131064 (2009-10-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
Si(1-v-w-x)CwAlxNv crystals in a mixed crystal state are formed. A method for manufacturing an easily processable Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, a method for manufacturing an epitaxial wafer, a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and an epitaxial wafer are provided. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)
1. A method for manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, comprising the steps of: preparing a Si substrate; andgrowing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv layer (0
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