$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Light-electricity conversion device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-031/00
출원번호 US-0493800 (2009-06-29)
등록번호 US-8367925 (2013-02-05)
발명자 / 주소
  • Ahn, Doyeol
출원인 / 주소
  • University of Seoul Industry Cooperation Foundation
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 27

초록

Light-electricity conversion devices based on II-VI semiconductor materials are provided. The light-electricity conversion devices are able to cover a wide spectrum range.

대표청구항 ▼

1. A light-electricity conversion device comprising: a substrate; anda cell that absorbs radiation being disposed on a surface of the substrate, the cell comprising: an absorbing layer, the absorbing layer comprising CdS1-xSex with 0

이 특허에 인용된 특허 (27)

  1. Haase Michael A. (Woodbury MN) Cheng Hwa (Woodbury MN) DePuydt James M. (St. Paul MN) Qiu Jun (Woodbury MN), Blue-green laser diode.
    상세보기
  2. Haase Michael A. (Woodbury MN) Qiu Jun (Woodbury MN) Cheng Hwa (Woodbury MN) DePuydt James M. (Stillwater MN), Buried ridge II-VI laser diode.
    상세보기
  3. Chen Wen S. (Seattle WA), Cadmium zinc sulfide by solution growth.
    상세보기
  4. Fukuzawa Tadashi (Tokyo NY JPX) Liu Ling Y. (White Plains NY) Mendez Emilio E. (Croton-on-Hudson NY), Coupled quantum well tunable laser.
    상세보기
  5. Shur, Michael; Gaska, Remigijus, Device and method for managing radiation.
    상세보기
  6. Wanke,Michael C.; Lee,Mark; Shaner,Eric A.; Allen,S. James, Direct detector for terahertz radiation.
    상세보기
  7. Nagano, Katsuto; Nomura, Takeshi; Takeishi, Taku; Takayama, Suguru, EL device.
    상세보기
  8. Ishihara, Teruya, Exciton polariton optical switch.
    상세보기
  9. Ibbetson, James; Thibeault, Brian, High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges.
    상세보기
  10. Schetzina Jan Frederick, Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabri.
    상세보기
  11. Hata, Masayuki, Light emitting device.
    상세보기
  12. Ondris Miroslav (Chagrin Falls OH) Hichler Marty A. (Parma OH), Method of making improved photovoltaic heterojunction structures.
    상세보기
  13. Komiyama, Susumu; Oleg, Astafiev; Vladimir, Antonov; Hirai, Hiroshi; Kutsuwa, Takeshi, Millimeter wave and far-infrared detector.
    상세보기
  14. Molva Engin,FRX ; Pautrat Jean-Louis,FRX, Monolithic semiconductor infrared emitter pumped by a switched solid microlaser.
    상세보기
  15. Mendez Emilio E. (Croton-on-Hudson NY) Ahn Doyeol (Seoul KRX), Polarization-tunable optoelectronic devices.
    상세보기
  16. Morita Yoshio (Osaka JPX), Semiconductor compound.
    상세보기
  17. Namizaki Hirofumi (Amagasaki JA) Ito Akiko (Amagasaki JA), Semiconductor luminescent device.
    상세보기
  18. Takeuchi Atsushi (Isehara JPX) Muto Shunichi (Atsugi JPX), Semiconductor optical device having a non-linear operational characteristic.
    상세보기
  19. Chou Stephen Y. ; Guo Lingjie ; Leobandung Effendi, Single-electron floating-gate MOS memory.
    상세보기
  20. Nitta Jun (Tokyo JPX), Strained quantum well structure having variable polarization dependence and optical device including the strained quantu.
    상세보기
  21. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  22. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  23. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  24. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX) Kondo Takayuki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  25. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX) Kondo Takayuki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  26. Mori Katsumi (Suwa JPX) Asaka Tatsuya (Suwa JPX) Iwano Hideaki (Suwa JPX) Kondo Takayuki (Suwa JPX), Surface emission type semiconductor laser.
    상세보기
  27. McCaldin James O. (San Diego CA) Wang Michael W. C. (Pasadena CA) McGill Thomas C. (Pasadena CA), n-type wide bandgap semiconductors grown on a p-type layer to form hole injection pn heterojunctions and methods of fabr.
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Hsu, Wei-Tse, Method for fabricating solar cell.
    상세보기
  2. Ahn, Doyeol, Photodetector capable of detecting long wavelength radiation.
    상세보기

관련 콘텐츠

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로